Jueves, 30 de Julio de 2026

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Jornada T?cnica - Interacci?n del hidr?geno con la microestructura y propiedades mec?nicas
Instituto de Fundici?n Tabira / Tabira Foundry Institute
Anuncio preliminar de esta jornada que tendr? lugar el 23 abril de 2026 en AZTERLAN (Durango)

Disponible el WFO Global Foundry Report 2025 con informaci?n y perspectivas de la producci?n de Fundici?n mundial
Instituto de Fundici?n Tabira / Tabira Foundry Institute
Accesible en nuestro pa?s exclusivamente a trav?s del Instituto de Fundici?n Tabira, el documento...

Felicitaci?n de Navidad
Instituto de Fundici?n Tabira / Tabira Foundry Institute
Desde el Instituto de Fundici?n TABIRA, nuestro principal deseo de un 2026 cargado de salud y de...

El Trater Day 2025 trae novedades t?cnicas a profesionales del sector
Instituto de Fundici?n Tabira / Tabira Foundry Institute
Englobado en una agenda de marcado car?cter t?cnico, la jornada se vertebr? sobre ponencias de...

MERECEN UNA VISITA

IFEX 2015 - 6ª Cast India Expo - 63 Congreso de Fundición de la India (27feb-1mar)
La celebración en la India de la 11ª Feria Internacional de...

71 Congreso Mundial de Fundición
El 71 Congreso Mundial de Fundición se llevará a cambo entre el 19 y...

CastExpo 2013
Organizado por American Foundry Society (AFS), el Congreso de fundición...

70º Congreso Mundial de Fundición
Información sobre el 70º Congreso Mundial de Fundición que...

Fabrication of silicon ingot by CCCC method

Sep 04 2007 gb

· Aleaciones ligeras ·
B. M. Moon, D. S. Lee, B. H. Kim, J. S. Shin, and S. M. Lee
Korea Institute of Industrial Technology, Incheon, Korea
67th World Foundry Congress

In the fabrication process of multi-crystalline Si ingot for solar cell wafer,
CCCC (Cold Crucible Continuous Casting) technology was practiced to
prevent contamination from crucible wall as well as to overcome the
problems of low solidification rate and crucible consumption. The effects of
Joule heating and electromagnetic pressure in molten Si were
systematically investigated with various processing parameters such as
crucible configuration. Throughout the present investigation, multicrystalline
Si ingot was successfully and continuously produced at the
casting speed of above 1.5 mm/min under a non-contact condition
between molten silicon and the crucible wall.

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